上海新昇半导体科技有限公司 main business:高品质半导体硅片研发、生产和销售，从事货物及技术的进出口业务。【&#yfpz】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 高品质半导体硅片研发、生产和销售，从事货物及技术的进出口业务。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 上海新昇半导体科技有限公司 | http://www.zingsemi.com/ |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205670534U | 化学品供应装置 | 2016.11.02 | 本实用新型提出了一种化学品供应装置，包括：多个化学管路，混合槽，不同的化学物品在混合槽中混合，形成清 |
| 2 | CN205652417U | 晶盒包装装置 | 2016.10.19 | 本实用新型提出了一种晶盒包装装置，包括本体、工作台、显示器、封装袋提供口、胶带粘贴单元、标签打印单元 |
| 3 | CN205652398U | 晶盒封装装置 | 2016.10.19 | 本实用新型提出了一种晶盒封装装置，包括工作台、垫台及封装袋，所述垫台位于工作台上，将晶盒开口朝向工作 |
| 4 | CN205650303U | 硅单晶棒回收装置 | 2016.10.19 | 本实用新型提出了一种硅单晶棒回收装置，包括缸体、上挤压盘、下挤压盘及挤压头；下挤压盘位于缸体下部并与 |
| 5 | CN106611780A | 量子阱器件及其形成方法 | 2017.05.03 | 本发明提出了一种量子阱器件及其形成方法，能够形成具有高迁移率的量子阱器件，并且形成的量子阱器件具有较 |
| 6 | CN106611790A | 垂直晶体管及其制备方法 | 2017.05.03 | 本发明提供一种垂直晶体管及其制备方法，包括：第一表面和与第一表面相对的第二表面；具有第一掺杂类型的漂 |
| 7 | CN106611781A | 量子阱器件及其形成方法 | 2017.05.03 | 本发明提出了一种量子阱器件及其形成方法，能够形成具有高迁移率的量子阱器件，并且形成的量子阱器件具有较 |
| 8 | CN106611738A | 绝缘体上III-V化合物衬底的制备方法 | 2017.05.03 | 本发明提供一种绝缘体上III-V化合物衬底的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有第一介质层，第一介 |
| 9 | CN106591939A | 单晶硅锭及晶圆的形成方法 | 2017.04.26 | 本发明提出了一种单晶硅及晶圆的形成方法，在采用直拉法形成单晶硅锭时，对熔融状的硅中通入包含氘原子的气 |
| 10 | CN106591953A | 硅单晶棒回收装置及方法、液氮供应装置 | 2017.04.26 | 本发明提供了一种硅单晶棒回收装置及方法、液氮供应装置，其中，所述硅单晶棒回收装置包括：用于盛装待回收 |
| 11 | CN106591944A | 单晶硅锭及晶圆的形成方法 | 2017.04.26 | 本发明提出了一种单晶硅及晶圆的形成方法，先对硅片进行氘原子的注入，使氘原子保留在硅片间隙内，接着，在 |
| 12 | CN106601804A | 场效应晶体管及其制备方法 | 2017.04.26 | 本发明提供一种场效应晶体管及其制备方法，场效应晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的锗纳米线 |
| 13 | CN106601663A | SOI衬底及其制备方法 | 2017.04.26 | 本发明提供一种SOI衬底及其制备方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底上形成有第一介质层；对所述第一 |
| 14 | CN106601681A | CMOS结构及其制备方法 | 2017.04.26 | 本发明提出了一种CMOS结构及其制备方法，在PMOS器件区和NMOS器件区中分别形成源漏外延材料的同 |
| 15 | CN106601738A | 互补场效应晶体管及其制备方法 | 2017.04.26 | 本发明提供一种互补场效应晶体管及其制备方法，包括：半导体衬底，位于半导体衬底中的相互隔离的N型场效应 |
| 16 | CN106571367A | 真空管闪存结构及其制造方法 | 2017.04.19 | 本发明提出了一种真空管闪存结构及其制造方法，在沟道中形成真空，并且采用氧化物‑氮化物‑氧化物组合结构 |
| 17 | CN106571287A | 外延层的形成方法 | 2017.04.19 | 本发明提出了一种外延层的形成方法，在采用气相沉积法形成外延层时，使用包括氘气的载气，由于处于氘气的环 |
| 18 | CN106571296A | 晶圆的形成方法 | 2017.04.19 | 本发明提出了一种晶圆的形成方法，在形成硅衬底后，对硅衬底在氘气下进行快速热退火处理，形成钝化层，钝化 |
| 19 | CN106571390A | 半导体结构及其形成方法 | 2017.04.19 | 本发明揭示了一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法，包括提供具有虚设栅极的衬底；在所述 |
| 20 | CN106571303A | 半导体结构及其形成方法 | 2017.04.19 | 本发明揭示了一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法，包括提供具有虚设栅极的衬底；在所述 |
| 21 | CN205850287U | 一种气体管路 | 2017.01.04 | 本实用新型提供了一种气体管路，包括一气体流通管道以及一气体冷凝装置，所述气体冷凝装置可用于冷凝气体并 |
| 22 | CN205750484U | 气体处理装置 | 2016.11.30 | 本实用新型提供了一种气体处理装置，通过所述气体处理装置实现一工艺腔体中的气体的排出，所述气体处理装置 |
| 23 | CN205716436U | 尾气管路加热装置 | 2016.11.23 | 本实用新型提出了一种尾气管路加热装置，包括热源排风管、加热外管、泄压管路、泄压阀、密封件及贴片热敏； |
| 24 | CN205657050U | 石英腔体的固定治具及清洗装置 | 2016.10.19 | 本实用新型提供了一种石英腔体的固定治具及清洗装置，所述固定治具用于在对石英腔体进行清洗时固定所述石英 |
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